Программа курса
1 семестр
2 семестр
|
1. Теоретическое сопротивление сдвигу и прочность идеального
кристалла. Дефекты в кристаллах, их классификация.
2. Дислокации в сплошной среде: определение контура и вектора Бюргерса,
типы дислокаций (краевая, винтовая, смешанная, призматические дислокационные
петли, геликоидальные дислокации) и их свойства, дислокационные узлы и закон
Кирхгофа для векторов Бюргерса, электрические аналогии.
3. Геометрия дислокаций в конкретных кристаллических структурах: ПК, ГЦК, ОЦК, ГПУ
кристаллы, кристаллы с решетками типа NaCl и CsCl, слоистые структуры.
Определение систем скольжения: направлений и плоскостей легкого скольжения.
Полные и частичные дислокации, расщепление дислокаций.
Дефекты упаковки по Франку и Шокли. Тетраэдр Томсона.
4. Механизмы перемещения дислокаций. Скольжение дислокаций.
Закон критического сдвигового напряжения. Ориентационный фактор
(коэффициент Шмида). Поперечное скольжение винтовых дислокаций.
Количество скольжения и плотность дислокаций. Соотношение Орована для скорости
пластической деформации. Зависимости скорости скольжения от температуры и
величины сдвигового напряжения (эмпирические зависимости и аналитические
выражения). Термоактивируемая область и область вязкого торможения.
Экспериментальные методы определения подвижности дислокаций. Диффузионное
восхождение (переползание) дислокаций: механизм, зависимости скорости
переползания от температуры и напряжения, энергия активации, ступеньки на
дислокациях.
5. Упругие свойства индивидуальных дислокаций. Внутренние напряжения, созданные
дислокациями. Пластический изгиб кристаллов. Упругие модели дислокаций и
дисклинаций. Деформации и поля напряжений краевых и винтовых дислокаций.
Рапределение напряжений и контуры равных напряжений. Энергия краевой,
винтовой и смешанной дислокаций.
6. Силы, действующие на дислокации. Сила "самодействия" - сила линейного натяжения. Силы, действующие на дислокацию в поле напряжений. Соотношение Пича-Келлера. Взаимодействие параллельных винтовых дислокаций. Взаимодействие между параллельными краевыми дислокациями с параллельными и перпендикулярными векторами Бюргерса.
Взаимодействие дислокаций с поверхностью кристалла. Эффект Ребиндера.
7. Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами. Энергия взаимодействия,
распределение примесных атомов вокруг неподвижной и движущейся дислокации.
Атмосферы Коттрелла.
8. Причины возникновения дислокаций в кристаллах. Механизмы зарождения дислокаций.
Источники Франка-Рида и Бардина-Херринга.
9. Дислокационные комплексы. Полигонизация. Границы блоков. Геометрия, типы и
структура дислокационных границ. Поля напряжений и энергия границ. Соотношение
Рида-Шокли. Подвижность и механическая стабильность границ в поле напряжений.
10. Методы наблюдения дислокаций: избирательное травление, декорирование, поляризационно-оптичесие, рентгеновские и электронномикроскопические методы, картины муара, ионный проектор, силовой микроскоп. Преимущества и недостатки методов наблюдения дислокаций, информативность. Косвенные методы оценки плотности дислокаций